Détergent industriel 1.01-1.25 de tranche de nettoyage chimique/silicium de basse mousse

Détergent industriel 1.01-1.25 de tranche de nettoyage chimique/silicium de basse mousse

Introduction industrielle de nettoyage chimique

La pureté des surfaces de gaufrette est une condition requise essentielle pour la fabrication réussie des circuits de VLSI et d'ULSI de silicium. La chimie de nettoyage de gaufrette a est restée essentiellement inchangée pendant les dernières 25 années et est basée sur les solutions alcalines et acides chaudes de peroxyde d'hydrogène, un processus connu sous le nom de « RCA standard nettoient. » C'est toujours la méthode primaire employée dans l'industrie. Ce qui a changé est son exécution avec l'équipement optimisé : de l'immersion simple à la pulvérisation centrifuge, aux techniques megasonic, et au traitement inclus de système qui permettent le retrait simultané des films et des particules de contaminant. Les améliorations dans le séchage de gaufrette au moyen de l'isopropanol se vaporisent ou par « la traction lente de ‐ » hors de l'eau désionisée chaude sont étudiés. Plusieurs méthodes de nettoyage alternatives également sont examinées, y compris les solutions de choline, gravure à l'eau-forte chimique de vapeur, et les traitements d'UV/ozone.

Première étape : Dissolvant propre

Des dissolvants sont employés pour enlever avec succès des huiles et les résidus organiques de la surface des gaufrettes de silicium. Tandis que le dissolvant enlève les contaminants, ils laissent également leur propre résidu sur la surface de la gaufrette. En raison du ce, une méthode de deux-dissolvant est employée pour s'assurer que la gaufrette est aussi propre comme possible.

Deuxième étape : RCA-1 nettoient

N'importe quel résidu qui est de surplus du dissolvant est pris en compte avec RCA propre. RCA propre oxyde le silicium, de ce fait fournissant une couche protectrice mince d'oxyde à la surface de la gaufrette.

Troisième étape : Immersion d'acide fluorhydrique

L'étape finale est une immersion d'acide fluorhydrique. Une immersion d'à haute fréquence est employée pour éliminer le silice de la surface de gaufrette de silicium. L'à haute fréquence est un produit chimique fortement dangereux, ainsi il est important que cette étape soit faite tout en utilisant la vitesse protectrice telle que les gants et l'eyewear lourds.

Paramètre chimique industriel de CleaningTechnical

Instructions industrielles de nettoyage chimique

1) mettez l'eau pure dans le réservoir de nettoyage jusqu'à de trois quarts, puis, ajoutez l'agent dans la concentration -5% de 3%, ajoutez l'eau jusqu'à la galerie, bout, chauffez la solution de bain jusqu'à la température fonctionnante.

2) devez changer la solution de bain complètement après le certain montant de dégraissage de tranche de silicium.

3) réduisez l'heure exposée en air d'éviter l'oxydation.

4) degré fonctionnant de la température 50-65, temps de disposition : 2-5minutes.

Notes

1) la barre solaire ne peut pas toucher l'eau, le besoin de plonger dans le soliquiod ou l'agent de dégraissage si ne peut pas nettoyer à temps.

2) ayez besoin de la barre solaire de disposition à temps dès qu'elle est entrée dans le processus de dégraissage pour éviter séché à l'air.

3) maintenez la barre solaire humide deguming pour éviter séché à l'air.

4) pour éviter le fragment, devez arrêter le commutateur de bulle du réservoir NO1 et no2 quand le dégraissage ultrasonique, alors, mettent en marche le commutateur après réparation.

5) devez changer no5.6 et réservoir 7 après un dégraissage de cycle.

6) la tranche de silicium ne peut pas être touchée. Les travailleurs doivent travailler avec des gants pour éviter l'empreinte digitale.

7)pour réaliser le dégagement, devez pulvériser la tranche de silicium au moins 30miniuts avant dégommination.

6. Additions

1) emballage : 20kg/carton (2kg/bottle), 25kg/plastic baril, 1000kg/barrel

2) temps de validité : un an